- 1 半導(dǎo)體器件基本方程
- 2.1.1 PN結(jié)的基本知識
- 2.1.2 突變結(jié)空間電荷區(qū)和內(nèi)建電勢
- 2.2.1突變結(jié)的電荷區(qū)的電場分布和寬度
- 2.2.2 單邊突變結(jié)的電荷區(qū)的電場分布和寬度
- 2.3.1 平衡狀態(tài)下PN結(jié)的能帶圖
- 2.3.2 平衡PN結(jié)的空間電荷區(qū)載流子分布
- 2.4.1 平衡時載流子運動
- 2.4.2 外加正向偏壓下載流子運動
- 2.4.3 外加反向偏壓下載流子運動
- 2.5.1 理想PN結(jié)直流電流電壓特性的求解思路
- 2.5.2 外加偏壓下少子濃度分布
- 2.5.3 擴散電流
- 2.6.1 勢壘區(qū)復(fù)合產(chǎn)生電流
- 2.6.2 勢壘區(qū)復(fù)合產(chǎn)生電流的計算
- 2.7.1 準(zhǔn)費米能級
- 2.7.2 非平衡態(tài)PN結(jié)能帶圖
- 2.8.1 大注入下的結(jié)定律
- 2.8.2 大注入下的自建電場
- 2.9.1 碰撞電離率和雪崩倍增因子
- 2.9.2 雪崩擊穿電壓的計算及其影響因素
- 2.9.3 隧道效應(yīng)與齊納擊穿
- 2.10 PN結(jié)的勢壘電容
- 2.11 PN結(jié)的擴散電容
- 2.12.1 PN結(jié)的直流開關(guān)特性
- 2.12.2 PN結(jié)的瞬態(tài)開關(guān)特性
- 2.12.3 PN結(jié)的開關(guān)時間
- 3.1.1 雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)
- 3.1.2 雙極型晶體管少子分布
- 3.1.3 雙極型晶體管能帶分布
- 3.1.4 雙極型晶體管的放大作用
- 3.2.1 基區(qū)輸運系數(shù)
- 3.2.2 發(fā)射結(jié)注入效率
- 3.2.3 電流放大系數(shù)
- 3.3.1 緩變基區(qū)晶體管的內(nèi)建電場
- 3.3.2 緩變基區(qū)晶體管的基區(qū)輸運系數(shù)
- 3.3.3緩變基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)
- 3.3.4 非理想情況下的電流放大系數(shù)
- 3.4.1 集電結(jié)和發(fā)射結(jié)短路電流
- 3.4.2 晶體管的直流電流電壓方程
- 3.4.3 晶體管的輸出特性
- 3.4.4 厄爾利效應(yīng)
- 3.5.1 反向截止電流
- 3.5.2 雙極型晶體管的雪崩擊穿電壓
- 3.5.3 基區(qū)穿通效應(yīng)
- 3.6 基極電阻
- 3.7.1 與頻率相關(guān)的基本知識
- 3.7.2 高頻小信號電流的變化
- 3.7.3 高頻小信號短路電流放大系數(shù)
- 3.7.4 特征頻率
- 3.8 高頻小信號電流電壓方程與等效電路
- 3.9 功率增益和最高震蕩頻率
- 4.1.1 MOSFET的基本結(jié)構(gòu)及工作原理
- 4.1.2 MOSFET的特性曲線和分類
- 4.2.1 MOS結(jié)構(gòu)的閾電壓
- 4.2.2 MOSFET的閾電壓
- 4.3.1 非飽和直流電流電壓方程
- 4.3.2 飽和區(qū)特性
- 4.4 MOSFET的亞閾區(qū)導(dǎo)電
- 4.5.1 MOSFET的直流參數(shù)及擊穿電壓
- 4.5.2 MOSFET的溫度特性
- 4.6 MOSFET的小信號交流參數(shù)
- 4.7.1 小尺寸效應(yīng)
- 4.7.2 遷移率調(diào)制效應(yīng)
- 4.7.3 強電場效應(yīng)
- 4.8 MOSFET的發(fā)展方向
《微電子器件》課程簡介
《微電子器件》是電子科學(xué)與技術(shù)、集成電路等相關(guān)專業(yè)的一門重要基礎(chǔ)課程。
這門課程主要涵蓋以下幾個方面的內(nèi)容:
半導(dǎo)體物理基礎(chǔ):
介紹半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)、能帶結(jié)構(gòu)、導(dǎo)電機制等基本概念。例如,硅和鍺等常見半導(dǎo)體材料的晶體結(jié)構(gòu)特點,以及價帶、導(dǎo)帶的形成和電子、空穴的導(dǎo)電原理。
PN 結(jié):
深入探討 PN 結(jié)的形成過程、特性和應(yīng)用。包括 PN 結(jié)的耗盡層、內(nèi)建電場、電流電壓特性等。例如,在二極管中,PN 結(jié)的單向?qū)щ娦允瞧涔ぷ鞯年P(guān)鍵原理。
雙極型晶體管(BJT):
講解 BJT 的結(jié)構(gòu)、工作原理、特性曲線和放大作用。比如,通過控制基極電流來實現(xiàn)對集電極電流的放大。
場效應(yīng)晶體管(FET):
研究 FET 的類型(如 MOSFET 等)、工作原理、特性和應(yīng)用。像 MOSFET 在集成電路中的廣泛應(yīng)用,其具有輸入電阻高、功耗低等優(yōu)點。
器件模型與分析:
建立微電子器件的數(shù)學(xué)模型,用于分析和設(shè)計電路。
集成電路中的器件:
探討在集成電路中,微電子器件的集成特性、相互影響和優(yōu)化設(shè)計。
通過學(xué)習(xí)《微電子器件》這門課程,學(xué)生能夠掌握微電子器件的基本原理和性能特點,為后續(xù)學(xué)習(xí)集成電路設(shè)計、半導(dǎo)體工藝等相關(guān)課程打下堅實的基礎(chǔ),也為從事微電子領(lǐng)域的研究、開發(fā)和工程應(yīng)用提供必要的知識儲備。
例如,在實際的集成電路設(shè)計中,了解微電子器件的特性可以幫助設(shè)計人員選擇合適的器件來實現(xiàn)特定的功能,同時優(yōu)化電路的性能和功耗。又如,在半導(dǎo)體制造工藝中,依據(jù)器件的原理可以優(yōu)化工藝流程,提高器件的質(zhì)量和可靠性。
