這是一門上海市精品課程。學習本課程需要先完成《半導體物理》課程的修讀。本課程的主要內(nèi)容涵蓋雙極型晶體管的直流特性、頻率特性、開關(guān)特性；MOS場效應(yīng)晶體管的閾值電壓、直流特性、頻率特性、開關(guān)特性以及小尺寸效應(yīng)。通過學習，掌握雙極型晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管的工作原理，掌握這兩種器件的特性和模型，理解影響器件特性的主要因素和晶體管中的常見非理想效應(yīng)，了解小尺寸MOS器件的發(fā)展動態(tài)。
了解半導體器件的工作原理，物理概念和器件特性。
掌握研究半導體器件工作原理和器件特性的基本方法，為從事半導體器件的研制和應(yīng)用打下基礎(chǔ)。
主要內(nèi)容包括：半導體器件進展，半導體物理基礎(chǔ)，p-n結(jié)，雙極型晶體管，結(jié)型場效應(yīng)晶體管，MOS器件（MOSFET），以及新型半導體器件介紹如微波器件、發(fā)光二極管、半導體激光器、光電探測器、量子阱激光器等光電子器件。
預(yù)修課程：
《量子力學》、《固體物理學》和《半導體物理》
    學分：3     學時：60