- 1.2.1]--1.1.1晶體的基本特點(diǎn).mp4
- [1.3.1]--1.1.2原子的周期性陣列.mp4
- [1.4.1]--1.1.3點(diǎn)陣的基本類(lèi)型.mp4
- [1.5.1]--1.1.4晶面指數(shù)系統(tǒng).mp4
- [1.6.1]--1.1.5常見(jiàn)晶體結(jié)構(gòu)范例.mp4
- [1.8.1]--1.2.1倒易點(diǎn)陣.mp4
- [1.9.1]--1.2.2布里淵區(qū).mp4
- [1.10.1]--1.2.3倒易點(diǎn)陣的范例.mp4
- [1.12.1]--1.3.1一維情況下的能級(jí)和軌道密度.mp4
- [1.13.1]--1.3.2溫度對(duì)費(fèi)米-狄喇克分布的影響.mp4
- [1.14.1]--1.3.3三維情況下的自由電子氣.mp4
- [1.16.1]--1.4.1布喇格定律.mp4
- [1.17.1]--1.4.2近自由電子模型.mp4
- [1.18.1]--1.4.3能隙的起因.mp4
- [1.19.1]--1.4.4布洛赫函數(shù).mp4
- [1.20.1]--1.4.5克朗尼格-朋奈模型.mp4
- [1.21.1]--1.4.6能帶中軌道的數(shù)目.mp4
- [1.23.1]--1.5.1能帶隙.mp4
- [1.24.1]--1.5.2重要半導(dǎo)體材料Si單晶的介紹.mp4
- [2.2.1]--2.1.1半導(dǎo)體中E-k的關(guān)系.mp4
- [2.3.1]--2.1.2半導(dǎo)體中電子的平均速度.mp4
- [2.4.1]--2.1.3半導(dǎo)體中電子的加速度.mp4
- [2.5.1]--2.1.4有效質(zhì)量的意義.mp4
- [2.7.1]--2.2.1空穴.mp4
- [2.8.1]--2.2.2本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu).mp4
- [2.10.1]--2.3.1一般情況下的等能面方程.mp4
- [2.12.1]--2.4.1硅的能帶結(jié)構(gòu).mp4
- [2.13.1]--2.4.2鍺的能帶結(jié)構(gòu).mp4
- [2.14.1]--2.4.3能帶結(jié)構(gòu)與溫度的關(guān)系.mp4
- [3.2.1]--3.1.1替位式雜質(zhì)和間隙式雜質(zhì).mp4
- [3.3.1]--3.1.2施主雜質(zhì)_施主能級(jí)_受主雜質(zhì)_受主能級(jí).mp4
- [3.4.1]--3.1.3雜質(zhì)淺能級(jí)電離能的簡(jiǎn)單計(jì)算.mp4
- [3.5.1]--3.1.4雜質(zhì)的補(bǔ)償作用.mp4
- [3.6.1]--3.1.5深能級(jí)雜質(zhì).mp4
- [3.8.1]--3.2.1GaAs中的雜質(zhì).mp4
- [3.10.1]--3.3.1點(diǎn)缺陷.mp4
- [3.11.1]--3.3.2線(xiàn)缺陷-位錯(cuò).mp4
- [4.2.1]--4.1.1復(fù)習(xí)三維情況下的自由電子氣.mp4
- [4.3.1]--4.1.2狀(能)態(tài)密度的定義.mp4
- [4.4.1]--4.1.3狀(能)態(tài)密度的匯總.mp4
- [4.6.1]--4.2.1費(fèi)米分布函數(shù)f(E).mp4
- [4.7.1]--4.2.2導(dǎo)帶電子和價(jià)帶空穴濃度.mp4
- [4.9.1]--4.3.1本征載流子濃度ni.mp4
- [4.10.1]--4.3.2本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)位置.mp4
- [4.12.1]--4.4.1非補(bǔ)償情形(單一雜質(zhì))1.mp4
- [4.12.2]--4.4.1非補(bǔ)償情形(單一雜質(zhì))2.mp4
- [4.14.1]--4.5.1簡(jiǎn)并的出現(xiàn).mp4
- [4.15.1]--4.5.2簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的載流子濃度.mp4
- [4.16.1]--4.5.3簡(jiǎn)并化條件.mp4
- [4.17.1]--4.5.4簡(jiǎn)并時(shí)雜質(zhì)的電離.mp4
- [5.2.1]--5.1.1電導(dǎo)的微觀理論.mp4
- [5.3.1]--5.1.2半導(dǎo)體的電導(dǎo)率和遷移率.mp4
- [5.5.1]--5.2.1散射幾率_平均自由時(shí)間及其與遷移率的關(guān)系.mp4
- [5.6.1]--5.2.2載流子的主要散射機(jī)制.mp4
- [5.8.1]--5.3.1遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系.mp4
- [5.9.1]--5.3.2電阻率與雜質(zhì)濃度的關(guān)系.mp4
- [5.11.1]--5.4.1歐姆定律的偏離和熱載流子.mp4
- [6.2.1]--6.1.1非平衡載流子的產(chǎn)生.mp4
- [6.3.1]--6.1.2附加光電導(dǎo)現(xiàn)象.mp4
- [6.4.1]--6.1.3非平衡載流子的復(fù)合.mp4
- [6.5.1]--6.1.4非平衡載流子的產(chǎn)生.mp4
- [6.7.1]--6.2.1準(zhǔn)平衡.mp4
- [6.8.1]--6.2.2準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí).mp4
- [6.10.1]--6.3.1復(fù)合的分類(lèi).mp4
- [6.11.1]--6.3.2直接復(fù)合.mp4
- [6.12.1]--6.3.3間接復(fù)合.mp4
- [6.13.1]--6.3.4表面復(fù)合.mp4
- [6.15.1]--6.4.1陷阱現(xiàn)象.mp4
- [6.16.1]--6.4.2成為陷阱的條件.mp4
- [6.18.1]--6.5.1一維擴(kuò)散方程.mp4
- [6.19.1]--6.5.2一維擴(kuò)散方程的穩(wěn)態(tài)解.mp4
- [6.20.1]--6.5.3擴(kuò)散電流.mp4
- [6.22.1]--6.6.1濃度梯度引起的自建電場(chǎng).mp4
- [6.23.1]--6.6.2愛(ài)因斯坦關(guān)系.mp4
- [6.25.1]--6.7.1連續(xù)性方程.mp4
- [6.26.1]--6.7.2連續(xù)性方程的特例情況.mp4
- [7.2.1]--7.1.1p-n結(jié)的形成及雜質(zhì)分布.mp4
- [7.3.1]--7.1.2空間電荷區(qū).mp4
- [7.4.1]--7.1.3平衡p-n結(jié)能帶圖.mp4
- [7.5.1]--7.1.4p-n結(jié)接觸電勢(shì)差.mp4
- [7.6.1]--7.1.5p-n結(jié)的載流子分布.mp4
- [7.8.1]--7.2.1p-n結(jié)中的電場(chǎng)和電勢(shì)分布.mp4
- [7.9.1]--7.2.2非平衡p-n結(jié)的能帶圖.mp4
- [7.10.1]--7.2.3理想p-n結(jié)的J-V關(guān)系.mp4
- [7.11.1]--7.2.4理想p-n結(jié)J-V關(guān)系的特性.mp4
- [7.12.1]--7.2.5理想p-n結(jié)J-V關(guān)系的修正.mp4
- [7.14.1]--7.3.1勢(shì)壘電容.mp4
- [7.15.1]--7.3.2擴(kuò)散電容_(正向偏壓).mp4
- [7.17.1]--7.4.1雪崩擊穿.mp4
- [7.18.1]--7.4.2齊納擊穿(隧道擊穿).mp4
- [7.20.1]--7.5.1Esaki_二極管.mp4
- [8.2.1]--8.1.1功函數(shù)和電子親合能.mp4
- [8.3.1]--8.1.2接觸電勢(shì)差.mp4
- [8.4.1]--8.1.3表面態(tài)對(duì)接觸勢(shì)壘的影響.mp4
- [8.5.1]--8.1.4勢(shì)壘區(qū)的電勢(shì)分布.mp4
- [8.6.1]--8.1.5肖特基接觸的勢(shì)壘電容.mp4
- [8.8.1]--8.2.1熱電子發(fā)射理論.mp4
- [8.9.1]--8.2.2鏡像力影響.mp4
- [8.10.1]--8.2.3隧道效應(yīng)影響.mp4
- [8.11.1]--8.2.4pn結(jié)和肖特基勢(shì)壘二極管.mp4
- [8.13.1]--8.3.1少子注入.mp4
- [8.14.1]--8.3.2歐姆接觸.mp4
- [9.1.1]--9.1晶體管的發(fā)明.mp4
- [9.2.1]--9.1.1晶體管的基本結(jié)構(gòu).mp4
- [9.3.1]--9.1.2制造工藝.mp4
- [9.4.1]--9.1.3雜質(zhì)分布.mp4
- [9.6.1]--9.2.1放大條件.mp4
- [9.7.1]--9.2.2電流傳輸.mp4
- [9.8.1]--9.2.3共基極電流放大系數(shù).mp4
- [9.9.1]--9.2.4共射極電流放大系數(shù).mp4
- [9.11.1]--9.3.1晶體管中的少子分布.mp4
- [9.12.1]--9.3.2理想晶體管的電流-電壓方程.mp4
- [9.13.1]--9.3.3放大系數(shù)表達(dá)式.mp4
- [9.14.1]--9.3.4理想晶體管的輸入、輸出特性.mp4
- [9.15.1]--9.3.5晶體管的非理想現(xiàn)象.mp4
- [9.16.1]--9.3.6實(shí)際晶體管的輸入、輸出特性.mp4
- [9.18.1]--9.4.1晶體管的反向電流.mp4
- [9.19.1]--9.4.2晶體管的反向擊穿電壓.mp4
- [9.20.1]--9.4.3晶體管穿通電壓.mp4
- [9.22.1]--9.5.1Ebers-Moll方程.mp4
- [9.23.1]--9.5.2實(shí)際晶體管模型.mp4
- [9.25.1]--9.6.1晶體管的放大作用.mp4
- [9.26.1]--9.6.2低頻交流小信號(hào)等效電路.mp4
- [9.27.1]--9.6.3放大系數(shù)的頻率特性.mp4
- [9.29.1]--9.7.1晶體管的開(kāi)關(guān)作用.mp4
- [9.30.1]--9.7.2晶體管開(kāi)關(guān)時(shí)間.mp4
- [10.2.1]--10.1.1表面的特殊性.mp4
- [10.3.1]--10.1.2理想表面.mp4
- [10.4.1]--10.1.3真實(shí)表面.mp4
- [10.6.1]--10.2.1空間電荷層.mp4
- [10.7.1]--10.2.2空間電荷層中的泊松方程.mp4
- [10.8.1]--10.2.3半導(dǎo)體表面電場(chǎng)_電勢(shì)和電容.mp4
- [10.9.1]--10.2.4半導(dǎo)體表面層的五種基本狀態(tài).mp4
- [10.11.1]--10.3.1Si-SiO2系統(tǒng)中的電荷狀態(tài).mp4
- [10.13.1]--10.4.1MIS電容結(jié)構(gòu)的能帶圖.mp4
- [10.14.1]--10.4.2理想MIS電容的C-V特性1.mp4
- [10.14.2]--10.4.2理想MIS電容的C-V特性2.mp4
- [10.15.1]--10.4.3實(shí)際MIS電容的C-V特性.mp4
- [10.17.1]--10.5.1表面電導(dǎo).mp4
- [11.2.1]--11.1.1MOSFET的結(jié)構(gòu).mp4
- [11.3.1]--11.1.2MOSFET簡(jiǎn)介.mp4
- [11.4.1]--11.1.3MOSFET的基本工作原理.mp4
- [11.5.1]--11.1.4MOSFET的分類(lèi)和符號(hào).mp4
- [11.6.1]--11.1.5MOSFET的輸出特性和轉(zhuǎn)移特性.mp4
- [11.8.1]--11.2.1半導(dǎo)體的表面狀態(tài).mp4
- [11.9.1]--11.2.2閾值電壓的表達(dá)式.mp4
- [11.10.1]--11.2.3影響VT的因素.mp4
- [12.2.1]--12.1.1MOSFET非平衡時(shí)的能帶圖.mp4
- [12.3.1]--12.1.2IDS~VDS的關(guān)系.mp4
- [12.4.1]--12.1.3MOSFET的亞閾值特性.mp4
- [12.5.1]--12.1.4MOSFET直流參數(shù).mp4
- [12.6.1]--12.1.5MOSFET的二級(jí)效應(yīng).mp4
- [12.7.1]--12.1.6擊穿特性.mp4
- [12.9.1]--12.2.1交流小信號(hào)等效電路.mp4
- [12.10.1]--12.2.2高頻特性.mp4
- [12.12.1]--12.3.1電阻型負(fù)載MOS倒相器.mp4
- [12.13.1]--12.3.2增強(qiáng)型-增強(qiáng)型MOS倒相器(E-EMOS).mp4
- [12.14.1]--12.3.3增強(qiáng)型-耗盡型MOS倒相器(E-DMOS).mp4
- [12.15.1]--12.3.4互補(bǔ)MOS倒相器(CMOS).mp4
- [12.17.1]--12.4.1按比例縮小規(guī)律概述.mp4
- [12.18.1]--12.4.2MOSFET的scaling規(guī)則.mp4
這是一門(mén)上海市精品課程。學(xué)習(xí)本課程需要先完成《半導(dǎo)體物理》課程的修讀。本課程的主要內(nèi)容涵蓋雙極型晶體管的直流特性、頻率特性、開(kāi)關(guān)特性;MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓、直流特性、頻率特性、開(kāi)關(guān)特性以及小尺寸效應(yīng)。通過(guò)學(xué)習(xí),掌握雙極型晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理,掌握這兩種器件的特性和模型,理解影響器件特性的主要因素和晶體管中的常見(jiàn)非理想效應(yīng),了解小尺寸MOS器件的發(fā)展動(dòng)態(tài)。
了解半導(dǎo)體器件的工作原理,物理概念和器件特性。
掌握研究半導(dǎo)體器件工作原理和器件特性的基本方法,為從事半導(dǎo)體器件的研制和應(yīng)用打下基礎(chǔ)。
主要內(nèi)容包括:半導(dǎo)體器件進(jìn)展,半導(dǎo)體物理基礎(chǔ),p-n結(jié),雙極型晶體管,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,MOS器件(MOSFET),以及新型半導(dǎo)體器件介紹如微波器件、發(fā)光二極管、半導(dǎo)體激光器、光電探測(cè)器、量子阱激光器等光電子器件。
預(yù)修課程:
《量子力學(xué)》、《固體物理學(xué)》和《半導(dǎo)體物理》
學(xué)分:3 學(xué)時(shí):60
