這是一門(mén)專(zhuān)門(mén)為從零開(kāi)始學(xué)習(xí)集成電路知識(shí)學(xué)生開(kāi)設(shè)的課程，它基本涵蓋了微電子學(xué)專(zhuān)業(yè)碩博士研究生入學(xué)專(zhuān)業(yè)考試的主要內(nèi)容。半導(dǎo)體器件物理課是微電子學(xué)，半導(dǎo)體光電子學(xué)和電子科學(xué)與技術(shù)等專(zhuān)業(yè)本科生必修的主干專(zhuān)業(yè)基礎(chǔ)課。它的前修課程是固體物理學(xué)和半導(dǎo)體物理學(xué)，后續(xù)課程是半導(dǎo)體集成電路等專(zhuān)業(yè)課，是國(guó)家重點(diǎn)學(xué)科微電子學(xué)與固體電子學(xué)碩士研究生入學(xué)考試專(zhuān)業(yè)課。本課程的教學(xué)目的和要求是使學(xué)生掌握半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)、物理原理和特性，熟悉半導(dǎo)體器件的主要工藝技術(shù)及其對(duì)器件性能的影響，了解現(xiàn)代半導(dǎo)體器件的發(fā)展過(guò)程和發(fā)展趨勢(shì)，對(duì)典型的新器件和新的工藝技術(shù)有所了解，為進(jìn)一步學(xué)習(xí)相關(guān)的專(zhuān)業(yè)課打下堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ)。
課程目錄：
01 雙極晶體管的直流特性1
02 雙極晶體管的直流特性2
03 雙極晶體管的直流伏安特性定量分析1
04 雙極晶體管的直流伏安特性定量分析2
05 雙極晶體管的直流伏安特性定量分析3
06 雙極晶體管的直流伏安特性定量分析4
07 緒論1
08 緒論2
09 雙端MOS結(jié)構(gòu)的歲外柵壓的電荷能帶變化
10 雙端MOS結(jié)構(gòu)的反型狀態(tài)特點(diǎn)
11 雙端MOS結(jié)構(gòu)的耗盡層
12 雙端MOS結(jié)構(gòu)的金屬和半導(dǎo)體的功函數(shù)差
13 雙端MOS結(jié)構(gòu)的平帶電壓
14 雙端MOS結(jié)構(gòu)的閥值電壓
15 MOS電容的理想CV特性
16 MOS電容CV曲線(xiàn)的頻率特性和非理想特性
17 MOSFET的基本結(jié)構(gòu)和分類(lèi)
18 MOSFET的基本工作原理
19 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管基礎(chǔ)1
20 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管基礎(chǔ)2
21 MOSFET的漏電導(dǎo)和襯底偏置效應(yīng)
22 MOSFET的頻率特性
23 MOSFET的開(kāi)關(guān)特性1
24 MOSFET的開(kāi)關(guān)特性2
25 MOSFET的溫度特性和噪聲特性
26 MOSFET的版圖和器件設(shè)計(jì)
27 MOSFET的亞閥值特性
28 MOSFET的溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)
29 MOSFET的遷移率受垂直電場(chǎng)的影響
30 MOSFET的速度飽和特性
31 閥值電壓隨溝長(zhǎng)和溝寬的變化
32 閥值電壓的離子注入調(diào)整技術(shù)
33 MOSFET的擊穿特性
34 LDD結(jié)構(gòu)的MOSFET
35 MOSFET概念深入1
36 MOSFET概念深入2
37 MOSFET概念深入3
38 MOSFET概念深入4
39 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)器件1
40 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)器件2
41 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)器件3
42 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)器件4
43 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)器件5
44 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)器件6
45 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)器件7
46 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)器件8
47 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)器件9
48 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)器件10
49 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)器件11
50 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)器件12
51 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)器件13
52 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)器件14
53 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)器件15
54 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)器件16
