這是一門專門為從零開始學習集成電路知識學生開設的課程，它基本涵蓋了微電子學專業(yè)碩博士研究生入學專業(yè)考試的主要內(nèi)容。半導體器件物理課是微電子學，半導體光電子學和電子科學與技術(shù)等專業(yè)本科生必修的主干專業(yè)基礎課。它的前修課程是固體物理學和半導體物理學，后續(xù)課程是半導體集成電路等專業(yè)課，是國家重點學科微電子學與固體電子學碩士研究生入學考試專業(yè)課。本課程的教學目的和要求是使學生掌握半導體器件的基本結(jié)構(gòu)、物理原理和特性，熟悉半導體器件的主要工藝技術(shù)及其對器件性能的影響，了解現(xiàn)代半導體器件的發(fā)展過程和發(fā)展趨勢，對典型的新器件和新的工藝技術(shù)有所了解，為進一步學習相關的專業(yè)課打下堅實的理論基礎。

課程目錄：

01 雙極晶體管的直流特性1

02 雙極晶體管的直流特性2

03 雙極晶體管的直流伏安特性定量分析1

04 雙極晶體管的直流伏安特性定量分析2

05 雙極晶體管的直流伏安特性定量分析3

06 雙極晶體管的直流伏安特性定量分析4

07 緒論1

08 緒論2

09 雙端MOS結(jié)構(gòu)的歲外柵壓的電荷能帶變化

10 雙端MOS結(jié)構(gòu)的反型狀態(tài)特點

11 雙端MOS結(jié)構(gòu)的耗盡層

12 雙端MOS結(jié)構(gòu)的金屬和半導體的功函數(shù)差

13 雙端MOS結(jié)構(gòu)的平帶電壓

14 雙端MOS結(jié)構(gòu)的閥值電壓

15 MOS電容的理想CV特性

16 MOS電容CV曲線的頻率特性和非理想特性

17 MOSFET的基本結(jié)構(gòu)和分類

18 MOSFET的基本工作原理

19 金屬氧化物半導體場效應晶體管基礎1

20 金屬氧化物半導體場效應晶體管基礎2

21 MOSFET的漏電導和襯底偏置效應

22 MOSFET的頻率特性

23 MOSFET的開關特性1

24 MOSFET的開關特性2

25 MOSFET的溫度特性和噪聲特性

26 MOSFET的版圖和器件設計

27 MOSFET的亞閥值特性

28 MOSFET的溝道長度調(diào)制效應

29 MOSFET的遷移率受垂直電場的影響

30 MOSFET的速度飽和特性

31 閥值電壓隨溝長和溝寬的變化

32 閥值電壓的離子注入調(diào)整技術(shù)

33 MOSFET的擊穿特性

34 LDD結(jié)構(gòu)的MOSFET

35 MOSFET概念深入1

36 MOSFET概念深入2

37 MOSFET概念深入3

38 MOSFET概念深入4

39 結(jié)型場效應器件1

40 結(jié)型場效應器件2

41 結(jié)型場效應器件3

42 結(jié)型場效應器件4

43 結(jié)型場效應器件5

44 結(jié)型場效應器件6

45 結(jié)型場效應器件7

46 結(jié)型場效應器件8

47 結(jié)型場效應器件9

48 結(jié)型場效應器件10

49 結(jié)型場效應器件11

50 結(jié)型場效應器件12

51 結(jié)型場效應器件13

52 結(jié)型場效應器件14

53 結(jié)型場效應器件15

54 結(jié)型場效應器件16