- 1.1.1 微電子工藝是講什么的?
- 1.2.1 微電子工藝的發(fā)展歷程如何?
- 1.3.1 微電子工藝有什么特點(diǎn)?
- 1.4.1 單晶硅特性(上)
- 1.4.2 單晶硅特性(中)
- 1.4.3 單晶硅特性(下)
- 2.1.1 多晶硅制備;1.2單晶生長-CZ法
- 2.2.1 單晶生長-原理
- 2.3.1 單晶生長-摻雜
- 2.4.1 單晶生長-MCZ與FZ法
- 2.5.1 硅片的加工
- 2.5.2 硅片介紹
- 3.1.1 外延概述
- 3.2.1 氣相外延-1硅工藝
- 3.2.2 氣相外延-2原理
- 3.2.3 氣相外延-3速率
- 3.2.4 氣相外延-4摻雜
- 3.2.5 氣相外延-5設(shè)備與技術(shù)
- 3.3.1 分子束外延
- 3.4.1 其它外延方法
- 3.5.1 外延層缺陷及檢測
- 3.5.2 電阻率測量
- 4.1.1 概述-1性質(zhì)與用途
- 4.1.2 概述-2雜質(zhì)與掩蔽
- 4.2.1 硅熱氧化-1工藝
- 4.2.2 硅的熱氧化-2機(jī)理
- 4.2.3 硅的熱氧化-3DG模型
- 4.2.4 硅的熱氧化-4速率
- 4.2.5 硅熱氧化-5影響因素
- 4.3.1 初始氧化
- 4.4.1 雜質(zhì)再分布-1分凝
- 4.4.2 雜質(zhì)再分布-2硅表面濃度
- 4.5.1 氧化層檢測-1厚度
- 4.5.2 氧化層檢測-2成膜質(zhì)量
- 4.5.3 氧化層厚度估測實(shí)驗(yàn)
- 4.6.1 其它氧化方法
- 5.1.1 擴(kuò)散機(jī)構(gòu)
- 5.2.1 擴(kuò)散方程-1菲克定律
- 5.2.2 擴(kuò)散方程-2擴(kuò)散系數(shù)
- 5.3.1 擴(kuò)散摻雜-1恒定源
- 5.3.2 擴(kuò)散摻雜-2限定源
- 5.4.1 影響雜質(zhì)分布因素-1點(diǎn)缺陷
- 5.4.2 影響雜質(zhì)分布因素-2氧化增強(qiáng)
- 5.4.3 影響雜質(zhì)分布因素-3發(fā)射區(qū)推進(jìn)
- 5.5.1 擴(kuò)散條件與方法-1方法選擇
- 5.5.2 擴(kuò)散條件與方法-2擴(kuò)散工藝
- 5.6.1 質(zhì)檢與測量-1結(jié)深
- 5.6.2 質(zhì)檢與測量-2表面濃度
- 5.6.3 pn結(jié)結(jié)深測量實(shí)驗(yàn)
- 5.7.1 擴(kuò)散工藝的發(fā)展
- 6.1.1 離子注入概述
- 6.2.1 離子注入原理-1
- 6.2.2 離子注入原理-2
- 6.2.3 離子注入原理-3
- 6.3.1 注入離子分布-1,2分布
- 6.3.2 注入離子分布-3溝道效應(yīng)
- 6.3.3 注入離子分布-4其它影響
- 6.4.1 注入損傷-1
- 6.4.2 注入損傷-2
- 6.5.1 退火-1熱退火
- 6.5.2 退火-2快速退火
- 6.6.1 設(shè)備與工藝
- 6.7.1 應(yīng)用
- 6.8.1 摻雜新技術(shù)
- 7.1.1 CVD概述
- 7.2.1 CVD原理-1過程
- 7.2.2 CVD原理-2速率
- 7.2.3 CVD原理-3質(zhì)量
- 7.3.1 CVD工藝方法-1AP-2LP
- 7.3.2 CVD工藝方法-3等離子體(上)
- 7.3.3 CVD工藝方法-3等離子體(下)
- 7.3.4 CVD工藝方法-4PE-5HDP
- 7.4.1 二氧化硅薄膜-1性質(zhì)
- 7.4.2 二氧化硅薄膜-2制備
- 7.5.1 氮化硅薄膜
- 7.6.1 多晶硅薄膜
- 7.7.1 CVD金屬及金屬化合物薄膜
- 8.1.1 PVD-1概述
- 8.2.1 PVD-1真空簡介
- 8.2.2 PVD-2真空的獲得
- 8.3.1 蒸鍍-1原理
- 8.3.2 蒸鍍-2設(shè)備、工藝
- 8.3.3 蒸鍍-3質(zhì)量
- 8.4.1 濺射-1原理
- 8.4.2 濺射-2方法
- 8.4.3 濺射-3質(zhì)量
- 8.5.1 PVD金屬及化合物薄膜
- 9.1.1 光刻概述
- 9.2.1 光刻 02--光刻技術(shù) xiugaizhonggao
- 9.3.1 光刻掩膜板制造技術(shù)
- 9.4.1 光刻 8.3.2--光刻膠
- 9.5.1 光刻 8.3.3--紫外曝光技術(shù)
- 9.6.1 光刻 8.3.4 --光刻增強(qiáng)技術(shù)
- 9.7.1 其它曝光技術(shù)
- 9.7.2 其它曝光技術(shù)(2)
- 9.8.1 光刻新技術(shù)展望
- 10.1.1 刻蝕技術(shù)--概述
- 10.2.1 濕法刻蝕技術(shù)
- 10.3.1 刻蝕技術(shù)-- 干法刻蝕技術(shù)
- 10.4.1 刻蝕技術(shù)-- SiO2薄膜的干法刻蝕技術(shù)
- 10.5.1 刻蝕技術(shù)-- 多晶硅等其它薄膜的干法刻蝕技術(shù)
- 11.1.1 工藝集成--金屬化與多層互連
- 11.2.1 工藝集成--金屬化之尖楔現(xiàn)象
- 11.3.1 工藝集成--集成電路中的隔離技術(shù)
- 11.4.1 CMOS集成電路的工藝集成
- 11.5.1 雙極型集成電路的工藝集成
本課程是“電子信息科學(xué)與技術(shù)”、“微電子科學(xué)與工程”等專業(yè)的核心課程。全面系統(tǒng)地介紹了微電子工藝基礎(chǔ)知識,重點(diǎn)闡述了芯片制造單項(xiàng)工藝,包括:外延、熱氧化、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)汽相淀積、物理汽相淀積、光刻、刻蝕。還介紹了金屬互連、典型工藝集成、關(guān)鍵工藝設(shè)備,以及微電子工藝未來發(fā)展趨勢。通過本課程的學(xué)習(xí)能使學(xué)生對微電子工藝技術(shù)有全面了解,為后續(xù)專業(yè)課程學(xué)習(xí)打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。也利于學(xué)生專業(yè)素養(yǎng)的提高。
微電子制造工藝在微電子整體產(chǎn)業(yè)中處于中游階段(上游是電路設(shè)計(jì),下游是封裝測試)。一個(gè)芯片的制造能否達(dá)到設(shè)計(jì)要求,與制造工藝有很大的關(guān)系,因此有必要對工藝線的流程為大家說明講清楚。我們手中使用的mobilephone,camera,ipad 內(nèi)部電路板上焊接的形狀各異外形詭異的小芯片都是如何造出來?想必大家都是有興趣知道的。即使沒有電子工程的基礎(chǔ),通過我的講解也是可以,你對這個(gè)最精密自動(dòng)化程度最高的行業(yè)有一個(gè)清晰的輪廓。
IC(integrate circuit)的制造分為前工序和后工序。
前工序:IC制造工程中,晶圓光刻的工藝(即所調(diào)流片),被稱為前工序,這是IC制造的最要害技術(shù)。
