- 第一章 集成電路制造工藝的發(fā)展與工藝流程 1.1.1 集成電路制造工藝的發(fā)展歷史——《集成電路制造工藝》課程介紹（微課）
- 第一章 集成電路制造工藝的發(fā)展與工藝流程 1.1.2 集成電路制造工藝的發(fā)展歷史——集成電路制造工藝的發(fā)展歷史（微課）
- 第一章 集成電路制造工藝的發(fā)展與工藝流程1.1.3 集成電路制造工藝的發(fā)展歷史——從沙子到硅芯片的制造展示
- 第一章 集成電路制造工藝的發(fā)展與工藝流程 1.1.4 集成電路制造工藝的發(fā)展歷史——Discovery 生產(chǎn)線上 - 半導(dǎo)體集成電路介紹
- 第一章 集成電路制造工藝的發(fā)展與工藝流程 1.2.1 分立器件和集成電路制造工藝流程——分立器件和集成電路制造工藝流程（微課）
- 第一章 集成電路制造工藝的發(fā)展與工藝流程 1.2.2 分立器件和集成電路制造工藝流程——雙極型集成電路制造工藝流程（微課）
- 第一章 集成電路制造工藝的發(fā)展與工藝流程 1.2.3 分立器件和集成電路制造工藝流程——CMOS制造工藝流程（微課）
- 第一章 集成電路制造工藝的發(fā)展與工藝流程 1.2.4 分立器件和集成電路制造工藝流程——Silicon Run I 微芯片的今生來世
- 第一章 集成電路制造工藝的發(fā)展與工藝流程 1.2.5 分立器件和集成電路制造工藝流程——鰭式晶體管FinFET技術(shù)的發(fā)明人胡正明教授
- 第二章 薄膜制備 2.1.1.1 半導(dǎo)體生產(chǎn)中常用的薄膜——半導(dǎo)體生產(chǎn)中常見的薄膜（微課）
- 第二章 薄膜制備 2.1.1.2 半導(dǎo)體生產(chǎn)中常用的薄膜——二氧化硅的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（微課）
- 第二章 薄膜制備 2.1.1.3 半導(dǎo)體生產(chǎn)中常用的薄膜——二氧化硅的作用（微課）
- 第二章 薄膜制備 2.1.1.4 半導(dǎo)體生產(chǎn)中常用的薄膜——氮化硅的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（微課）
- 第二章 薄膜制備 2.1.2 半導(dǎo)體生產(chǎn)中常用的薄膜——半導(dǎo)體膜（微課）
- 第二章 薄膜制備 2.1.3.1 半導(dǎo)體生產(chǎn)中常用的薄膜——鋁互連（微課）
- 第二章 薄膜制備 2.1.3.2 半導(dǎo)體生產(chǎn)中常用的薄膜——銅互連（微課）
- 第二章 薄膜制備 2.1.3.3 半導(dǎo)體生產(chǎn)中常用的薄膜——鎢的性質(zhì)與用途（微課）
- 第二章 薄膜制備 2.1.3.4 半導(dǎo)體生產(chǎn)中常用的薄膜——硅化金屬（微課）
- 第二章 薄膜制備 2.1.3.5 半導(dǎo)體生產(chǎn)中常用的薄膜——多層互連（微課）
- 第二章 薄膜制備 2.2.1.1 薄膜生長-SiO2的熱氧化—— 熱氧化機理（微課）
- 第二章 薄膜制備 2.2.1.2 薄膜生長-SiO2的熱氧化—— 影響熱氧化的速率（微課）
- 第二章 薄膜制備 2.2.2 薄膜生長-SiO2的熱氧化—— 基本的熱氧化方法（微課）
- 第二章 薄膜制備 2.2.3 薄膜生長-SiO2的熱氧化—— 氧化硅設(shè)備及操作規(guī)程（微課）
- 第二章 薄膜制備 2.2.4 薄膜生長-SiO2的熱氧化—— 其他熱氧化方法（微課）
- 第二章 薄膜制備 2.2.5 薄膜生長-SiO2的熱氧化—— 硅-二氧化硅系統(tǒng)電荷（微課）
- 第二章 薄膜制備 2.2.6 薄膜生長-SiO2的熱氧化—— 二氧化硅的質(zhì)量分析（微課）
- 第二章 薄膜制備 2.3.1 化學(xué)氣相淀積—— 化學(xué)氣相淀積原理（微課）
- 第二章 薄膜制備 2.3.2 化學(xué)氣相淀積——常用薄膜的化學(xué)氣相淀積（微課）
- 第二章 薄膜制備 2.4.1 物理氣相淀積——物理氣相淀積-蒸發(fā)（微課）
- 第二章 薄膜制備 2.4.2 物理氣相淀積—— 物理氣相淀積-濺射（微課）
- 第二章 薄膜制備 2.4.3 物理氣相淀積——金屬薄膜的濺射工藝（實踐操作微課）
- 第二章 薄膜制備 2.5 外延生長——外延生長（微課）
- 第三章 光刻 3.1 光刻工藝的基本原理——光刻工藝的基本原理（微課）
- 第三章 光刻 3.2.1 光刻膠——光刻膠的性質(zhì)（微課）
- 第三章 光刻 3.2.2 光刻膠——正膠與負(fù)膠（微課）
- 第三章 光刻 3.3.1 光刻工藝的基本流程——光刻工藝的基本流程（微課）
- 第三章 光刻 3.3.2 光刻工藝的基本流程——接觸式光刻技術(shù)（實踐操作微課）
- 第三章 光刻 3.4 先進的光刻工藝——先進的光刻工藝（微課）
- 第四章 刻蝕 4.1 刻蝕的基本概念——刻蝕的基本概念（微課）
- 第四章 刻蝕 4.2 濕法刻蝕——濕法刻蝕（微課）
- 第四章 刻蝕 4.3 干法刻蝕——干法刻蝕（微課）
- 第四章 刻蝕 4.4 去膠——去膠（微課）
- 第五章 摻雜 5.1.1 擴散的基本原理——熱擴散的基本原理（微課）
- 第五章 摻雜 5.1.2 擴散的基本原理——影響雜質(zhì)擴散的其他因素（微課）
- 第五章 摻雜 5.2 擴散方法——熱擴散的方法（微課）
- 第五章 摻雜 5.3擴散的質(zhì)量參數(shù)及檢測——擴散層的質(zhì)量參數(shù)與檢測（微課）
- 第五章 摻雜 5.4離子注入的基本原理——離子注入的基本原理（微課）
- 第五章 摻雜 5.5離子注入的設(shè)備——離子注入的設(shè)備（微課）
- 第五章 摻雜 5.6離子注入的損傷與退火——離子注入的損傷與退火（微課）
- 第六章 平坦化 6.1 平坦化的基本原理——平坦化的基本原理（微課）
- 第六章 平坦化 6.2 傳統(tǒng)的平坦化方法——傳統(tǒng)的平坦化方法（微課）
- 第六章 平坦化 6.3.1 CMP 平坦化——先進的平坦化技術(shù)CMP（視頻）
- 第六章 平坦化 6.3 CMP 平坦化.2——CMP平坦化的應(yīng)用（微課）
- 第七章 硅襯底制備 7.1 硅單晶的制備——硅單晶的制備（微課）
- 第七章 硅襯底制備 7.2 單晶硅的質(zhì)量檢驗——單晶硅的質(zhì)量檢驗（微課）
- 第七章 硅襯底制備 7.3 硅圓片的制備——硅圓片的制備（微課）
- 第八章 組裝工藝 8.1.1 芯片組裝工藝流程 ——芯片組裝工藝流程概述（微課）
- 第八章 組裝工藝 8.1.2 芯片組裝工藝流程 ——背面減薄與拋光（微課）
- 第八章 組裝工藝 8.1.3 芯片組裝工藝流程 ——劃片工藝（微課）
- 第八章 組裝工藝 8.1.4 芯片組裝工藝流程 ——芯片黏貼技術(shù)（微課）
- 第八章 組裝工藝 8.1.4 芯片組裝工藝流程 ——芯片貼裝技術(shù)（微課）
- 第八章 組裝工藝 8.1.5 芯片組裝工藝流程 ——芯片互連技術(shù)（微課）
- 第八章 組裝工藝 8.1.5 芯片組裝工藝流程 ——引線鍵合質(zhì)量分析（微課）
- 第八章 組裝工藝 8.1.6 芯片組裝工藝流程 ——塑封成型技術(shù)（微課）
- 第八章 組裝工藝 8.1.6 芯片組裝工藝流程 ——塑封工藝流程及質(zhì)量檢測（微課）
- 第八章 組裝工藝 8.1.7 芯片組裝工藝流程 ——打印技術(shù)（微課）
- 第八章 組裝工藝 8.1.7 芯片組裝工藝流程 ——切筋成型與打碼技術(shù)（微課）
- 第八章 組裝工藝 8.1.7 芯片組裝工藝流程 ——去飛邊與電鍍（微課）
- 第八章 組裝工藝 8.2.0 引線鍵合技術(shù) ——打線鍵合技術(shù)（微課）
- 第八章 組裝工藝 8.2.1 引線鍵合技術(shù) ——引線鍵合基本概念（微課）
- 第八章 組裝工藝 8.2.2 引線鍵合技術(shù) ——引線鍵合的工具（微課）
- 第八章 組裝工藝 8.2.3 引線鍵合技術(shù) ——引線鍵合形式（微課）
- 第八章 組裝工藝 8.3.1 封裝技術(shù) ——芯片封裝概述（微課）
- 第八章 組裝工藝 8.3.2 封裝技術(shù) ——封裝的分類（微課）
- 第八章 組裝工藝 8.3.3 封裝技術(shù) ——封裝技術(shù)的發(fā)展（微課）
- 第九章 潔凈技術(shù) 9.1 潔凈技術(shù)等級——潔凈技術(shù)等級（微課）
- 第九章 潔凈技術(shù) 9.2 潔凈設(shè)備——潔凈設(shè)備（微課）
- 第九章 潔凈技術(shù) 9.3 清洗技術(shù)——清洗技術(shù)（微課）
- 第九章 潔凈技術(shù) 9.4純水制備——純水制備（微課）
- 第十章 CMOS集成電路制造工藝 10.1 CMOS反相器的工作原理和結(jié)構(gòu)（微課）
- 第十章 CMOS集成電路制造工藝 10.2 CMOS集成電路的工藝流程（微課）
- 第十章 CMOS集成電路制造工藝 10.3 CMOS中其他相關(guān)工藝（微課）
- 第十一章 集成電路測試與可靠性分析 11.1.1 集成電路測試——集成電路測試2（微課）
- 第十一章 集成電路測試與可靠性分析 11.1.2 集成電路測試——集成電路測試1（視頻）
- 第十一章 集成電路測試與可靠性分析 11.2 集成電路可靠性分析（微課）
- 第十二章 集成電路設(shè)計與仿真 12.1 二極管工藝參數(shù)的設(shè)計與仿真（操作微課）
- 第十二章 集成電路設(shè)計與仿真 12.2 NMOS工藝參數(shù)的設(shè)計與仿真（操作微課）
- 第十二章 集成電路設(shè)計與仿真 12.3 NPN晶體管的工藝參數(shù)設(shè)計與仿真（操作視頻）
本課程主要講授集成電路制造的工藝原理、方法、設(shè)備及工藝中主要參數(shù)的測試和質(zhì)量控制方法。在結(jié)構(gòu)上對應(yīng)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的環(huán)節(jié)，以集成電路生產(chǎn)過程為導(dǎo)向，根據(jù)企業(yè)崗位設(shè)置，對教學(xué)內(nèi)容進行模塊化設(shè)計，分基礎(chǔ)模塊、核心模塊，拓展模塊、提升模塊四部分。設(shè)計既注重學(xué)生對集成電路的整個工藝過程有一完整的了解，同時又重點突出對集成電路芯片制造的五個核心工藝的把握。本次課程開設(shè)會補充部分最新的工藝技術(shù)及集成電路工藝仿真部分的內(nèi)容。
