本書系《先進(jìn)陶瓷叢書》之一，在綜述國內(nèi)外先進(jìn)結(jié)構(gòu)陶瓷及其復(fù)合材料研究現(xiàn)狀的基礎(chǔ)上，從材料學(xué)的角度，分別闡述了其結(jié)構(gòu)、性能、特點及其應(yīng)用，并在此基礎(chǔ)上結(jié)合作者多年的研究成果全面系統(tǒng)地介紹了鐵—鋁金屬間化合物/氧化鋯陶瓷基結(jié)構(gòu)復(fù)合材料的設(shè)計、制備、組織結(jié)構(gòu)、性能及其相互關(guān)系等方面的研究成果，并對該類復(fù)合材料的強(qiáng)韌化機(jī)制進(jìn)行了分析總結(jié)。讀者對象
陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復(fù)合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強(qiáng)度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，陶瓷基板已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基礎(chǔ)材料。
氮化鋁陶瓷無毒性，具有高的熱導(dǎo)率、高的絕緣性和良好的微波毫米波特性，是高功率、高密度和高速電路所用的高性能封裝材料。目前氮化鋁陶瓷封裝已經(jīng)用于各種器件和集成組件中，如微波大功率器件、高溫高功率電子器件、高性能T/R模塊等。近年來隨著氮化鋁陶瓷制備技術(shù)的不斷成熟，具有導(dǎo)熱率在140~230W/m.k的氮化鋁已顯示取代氧化鋁(氧化鋁導(dǎo)熱率約為19W/m.k)陶瓷的強(qiáng)勁趨勢。氮化鋁還有一個優(yōu)勢在于起熱膨脹系數(shù)與砷化鎵匹配，能更好的與半導(dǎo)體材料附著。氮化鋁的熱性能受氣孔率和雜質(zhì)的影響嚴(yán)重，一般高導(dǎo)熱率的致密氮化鋁陶瓷僅能通過熱壓燒結(jié)或添加氧化鈣和氧化釔的無壓燒結(jié)工藝獲取。添加劑在燒結(jié)時是以形成液相促進(jìn)致密化，鈣鋁石或釔鋁石能夠吸收氧雜質(zhì)。