本書系《先進陶瓷叢書》之一，在綜述國內外先進結構陶瓷及其復合材料研究現(xiàn)狀的基礎上，從材料學的角度，分別闡述了其結構、性能、特點及其應用，并在此基礎上結合作者多年的研究成果全面系統(tǒng)地介紹了鐵—鋁金屬間化合物/氧化鋯陶瓷基結構復合材料的設計、制備、組織結構、性能及其相互關系等方面的研究成果，并對該類復合材料的強韌化機制進行了分析總結。讀者對象
陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，陶瓷基板已成為大功率電力電子電路結構技術和互連技術的基礎材料。
氮化鋁陶瓷無毒性，具有高的熱導率、高的絕緣性和良好的微波毫米波特性，是高功率、高密度和高速電路所用的高性能封裝材料。目前氮化鋁陶瓷封裝已經(jīng)用于各種器件和集成組件中，如微波大功率器件、高溫高功率電子器件、高性能T/R模塊等。近年來隨著氮化鋁陶瓷制備技術的不斷成熟，具有導熱率在140~230W/m.k的氮化鋁已顯示取代氧化鋁(氧化鋁導熱率約為19W/m.k)陶瓷的強勁趨勢。氮化鋁還有一個優(yōu)勢在于起熱膨脹系數(shù)與砷化鎵匹配，能更好的與半導體材料附著。氮化鋁的熱性能受氣孔率和雜質的影響嚴重，一般高導熱率的致密氮化鋁陶瓷僅能通過熱壓燒結或添加氧化鈣和氧化釔的無壓燒結工藝獲取。添加劑在燒結時是以形成液相促進致密化，鈣鋁石或釔鋁石能夠吸收氧雜質。