本課程圍繞半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)理論和半導(dǎo)體主要性質(zhì)，共分為四部分，七章。前兩章為第一部分，介紹半導(dǎo)體物理的基礎(chǔ)知識，包括半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)、量子力學(xué)初步概要、價鍵模型、半導(dǎo)體的電子結(jié)構(gòu)；第二部分由兩章組成，分別定性、定量闡述半導(dǎo)體中的載流子；第三部分由一章構(gòu)成，描述三維半導(dǎo)體中的電輸運；第四部分討論半導(dǎo)體的結(jié)，闡述金屬-半導(dǎo)體的接觸、半導(dǎo)體表面效應(yīng)和MIS結(jié)構(gòu)。同時為大家?guī)�來一系列�?xí)題的解析。

1．半導(dǎo)體中的電子狀態(tài) 半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)；半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶；半導(dǎo)體中電子的運動、有 效質(zhì)量；本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機構(gòu)、空穴；回旋共振；硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)；Ⅲ–Ⅴ族化合物半 導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)；Ⅱ–Ⅵ族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)；Si1-xGex 合金的能帶；寬禁帶半導(dǎo)體 材料。 2．半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級 硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級；Ⅲ–Ⅴ族化合物中的雜質(zhì)能級；氮化鎵、氮化鋁、碳化硅中 的雜質(zhì)能級；缺陷、位錯能級。 3．半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計分布 狀態(tài)密度；費米能級和載流子的統(tǒng)計分布；本征半導(dǎo)體的載流子濃度；雜質(zhì)半導(dǎo)體的載 流子濃度；一般情況下的載流子統(tǒng)計分布；簡并半導(dǎo)體；電子占據(jù)雜質(zhì)能級的概率。 4．半導(dǎo)體的導(dǎo)電性 載流子的漂移運動和遷移率；載流子的散射；遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系；電阻率 及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系；玻耳茲曼方程、電導(dǎo)率的統(tǒng)計理論；強電場下的效應(yīng)、熱載 流子；多能谷散射、耿氏效應(yīng)。

5．非平衡載流子 非平衡載流子的注入與復(fù)合；非平衡載流子的壽命；準費米能級；復(fù)合理論；陷阱效應(yīng)； 載流子的擴散運動；載流子的漂移擴散，愛因斯坦關(guān)系式；連續(xù)性方程式；硅的少數(shù)載流子 壽命與擴散長度。 6．pn 結(jié) pn 結(jié)及其能帶圖；pn 結(jié)電流電壓特性；pn 結(jié)電容；pn 結(jié)擊穿；pn 結(jié)隧道效應(yīng)。 7．金屬和半導(dǎo)體接觸 金屬半導(dǎo)體接觸及其能級圖；金屬半導(dǎo)體接觸整流理論；少數(shù)載流子的注入和歐姆接觸。 8．半導(dǎo)體表面和 MIS 結(jié)構(gòu) 表面態(tài)；表面電場效應(yīng)；MIS 結(jié)構(gòu)的 C–V 特性；硅–二氧化硅系統(tǒng)的性質(zhì)；表面電導(dǎo) 及遷移率；表面電場對 pn 結(jié)特性的影響。 9．半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)及其能帶圖；半導(dǎo)體異質(zhì) pn 結(jié)的電流電壓特性及注入特性；半導(dǎo)體異質(zhì) 結(jié)量子阱結(jié)構(gòu)及其電子能態(tài)與特性；半導(dǎo)體應(yīng)變異質(zhì)結(jié)構(gòu)；GaN 基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)；半導(dǎo) 體超晶格。 10．半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)和光電與發(fā)光現(xiàn)象 半導(dǎo)體的光學(xué)常數(shù)；半導(dǎo)體的光吸收；半導(dǎo)體的光電導(dǎo)；半導(dǎo)體的光生伏特效應(yīng)；半導(dǎo) 體發(fā)光；半導(dǎo)體激光；半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)在光電子器件中的應(yīng)用。 11．半導(dǎo)體的熱電性質(zhì) 熱電效應(yīng)的一般描述；半導(dǎo)體的溫差電動勢率；半導(dǎo)體的珀耳帖效應(yīng)；半導(dǎo)體的湯姆遜 效應(yīng)；半導(dǎo)體的熱導(dǎo)率；半導(dǎo)體熱電效應(yīng)的應(yīng)用。