本課程圍繞半導體物理基礎理論和半導體主要性質，共分為四部分，七章。前兩章為第一部分，介紹半導體物理的基礎知識，包括半導體的晶體結構、量子力學初步概要、價鍵模型、半導體的電子結構；第二部分由兩章組成，分別定性、定量闡述半導體中的載流子；第三部分由一章構成，描述三維半導體中的電輸運；第四部分討論半導體的結，闡述金屬-半導體的接觸、半導體表面效應和MIS結構。同時為大家?guī)�來一系列習題的解析。

1．半導體中的電子狀態(tài) 半導體的晶格結構和結合性質；半導體中的電子狀態(tài)和能帶；半導體中電子的運動、有 效質量；本征半導體的導電機構、空穴；回旋共振；硅和鍺的能帶結構；Ⅲ–Ⅴ族化合物半 導體的能帶結構；Ⅱ–Ⅵ族化合物半導體的能帶結構；Si1-xGex 合金的能帶；寬禁帶半導體 材料。 2．半導體中雜質和缺陷能級 硅、鍺晶體中的雜質能級；Ⅲ–Ⅴ族化合物中的雜質能級；氮化鎵、氮化鋁、碳化硅中 的雜質能級；缺陷、位錯能級。 3．半導體中載流子的統(tǒng)計分布 狀態(tài)密度；費米能級和載流子的統(tǒng)計分布；本征半導體的載流子濃度；雜質半導體的載 流子濃度；一般情況下的載流子統(tǒng)計分布；簡并半導體；電子占據雜質能級的概率。 4．半導體的導電性 載流子的漂移運動和遷移率；載流子的散射；遷移率與雜質濃度和溫度的關系；電阻率 及其與雜質濃度和溫度的關系；玻耳茲曼方程、電導率的統(tǒng)計理論；強電場下的效應、熱載 流子；多能谷散射、耿氏效應。

5．非平衡載流子 非平衡載流子的注入與復合；非平衡載流子的壽命；準費米能級；復合理論；陷阱效應； 載流子的擴散運動；載流子的漂移擴散，愛因斯坦關系式；連續(xù)性方程式；硅的少數載流子 壽命與擴散長度。 6．pn 結 pn 結及其能帶圖；pn 結電流電壓特性；pn 結電容；pn 結擊穿；pn 結隧道效應。 7．金屬和半導體接觸 金屬半導體接觸及其能級圖；金屬半導體接觸整流理論；少數載流子的注入和歐姆接觸。 8．半導體表面和 MIS 結構 表面態(tài)；表面電場效應；MIS 結構的 C–V 特性；硅–二氧化硅系統(tǒng)的性質；表面電導 及遷移率；表面電場對 pn 結特性的影響。 9．半導體異質結構 半導體異質結及其能帶圖；半導體異質 pn 結的電流電壓特性及注入特性；半導體異質 結量子阱結構及其電子能態(tài)與特性；半導體應變異質結構；GaN 基半導體異質結構；半導 體超晶格。 10．半導體的光學性質和光電與發(fā)光現象 半導體的光學常數；半導體的光吸收；半導體的光電導；半導體的光生伏特效應；半導 體發(fā)光；半導體激光；半導體異質結在光電子器件中的應用。 11．半導體的熱電性質 熱電效應的一般描述；半導體的溫差電動勢率；半導體的珀耳帖效應；半導體的湯姆遜 效應；半導體的熱導率；半導體熱電效應的應用。